주성엔지니어링은 10일 반도체 소자용 절연막 형성방법에 대해 특허를 취득했다고 공시했다. 회사는 이번 특허가 게이트 옥사이드 등 막질이 우수한 절연막을 형성하는 LP CVD Cluster Tool 장비사업의 부가가치를 높이는데 효과가 있다고 설명했다. 투자액은 3억원. [한경닷컴]