삼성전자가 세계 반도체 업계에서 처음으로 초미세 0.15미크론 공정을 적용하고 1GHz 신호처리속도를 갖는 256메가비트(Mb) 램버스D램 양산에 들어갔다. 7일 삼성전자는 "이번 램버스 D램 양산 돌입은 0.19미크론 1세대와 0.17미크론 2세대에서 3세대로 진입하는 양산기술의 초미세화 과정이며 256메가 램버스 D램이 현재의 주력인 128메가 램버스D램을 본격 세대 교체하는 것"이라고 설명했다. 또 "웨이퍼당 칩 생산량이 0.17미크론 공정보다 30% 이상 늘어났으며 내부 신호처리 속도도 기존 800㎒에서 1㎓ 이상으로 증가했다"고 말했다. 이어 "크기도 동일한 SD램 대비 약 9%로 차이를 줄여 원가 절감 효과도 있다"고 덧붙였다. 올해 말부터 256메가가 램버스D램 시장의 주력 제품으로 자리잡을 것으로 삼성전자는 예상하고 있다. 한경닷컴 유용석기자 ja-ju@hankyung.com