삼성전자가 2025년부터 2㎚(나노미터·1㎚=10억분의 1ｍ) 반도체 양산에 들어간다고 발표했다. 내년 말로 예상됐던 3㎚ 반도체 생산 시기도 6월 말로 구체화했다. 파운드리(반도체 수탁생산) 세계 1위인 대만 TSMC 추격에 본격적으로 나섰다는 분석이다.

삼성전자는 7일 온라인으로 열린 ‘삼성 파운드리 포럼 2021’에서 이 같은 계획을 공개했다. 2016년 시작된 파운드리 포럼은 삼성전자가 매년 고객사와 협력사에 반도체 기술 수준과 로드맵을 알리는 자리다.

삼성전자는 이날 처음으로 게이트올어라운드(GAA) 기술을 적용한 2㎚ 반도체 양산 계획을 밝혔다. GAA는 전력 효율을 획기적으로 높일 수 있는 차세대 트랜지스터 제조 기술이다. 아직 TSMC도 구체적인 2㎚ 반도체 양산 계획을 내놓지 못해 미세공정 제품을 기다리는 구글, 퀄컴, 애플 등 글로벌 고객사를 선점할 수 있을 것으로 전문가들은 예상했다.

삼성전자는 TSMC가 앞선 것으로 평가받는 3㎚ 반도체 생산에서도 맞불을 놨다. TSMC는 올해 3㎚ 반도체 공정 장비를 대만 공장에 설치, 내년 7월 양산에 들어갈 것으로 알려졌다. 삼성전자의 3㎚ 반도체 생산 목표 시점은 내년 상반기로 TSMC와 비슷하거나 더 빠를 것으로 예상된다. 최시영 삼성전자 파운드리사업부장(사장)은 포럼 기조연설에서 “대규모 투자를 통해 첨단 미세공정뿐만 아니라 기존 공정에서도 기술 혁신을 이어나갈 것”이라고 밝혔다.

박신영/이수빈 기자