[포토] 싱가포르 간 네오 QLED TV

입력2021.03.25 17:55 수정2021.03.26 01:47 지면A13

삼성전자는 24일(현지시간) 싱가포르에서 ‘네오 QLED TV’ 등 2021년 TV 신제품을 출시했다. 다음달엔 동남아·오세아니아 시장 전역에 판매할 계획이다.

삼성전자 제공

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D램 격차 더 벌린 삼성…영화 2편 1초 만에 전송

삼성전자가 반도체 업계 최초로 HKMG(하이케이 메탈 게이트) 공정을 적용한 DDR5 메모리 모듈(사진)을 개발했다고 25일 발표했다. 용량과 속도를 크게 개선해 데이터센터, 에지컴퓨팅 등에 활용할 예정이다. 삼성전자는 차별화된 D램을 앞세워 인텔과의 협력도 강화할 계획이다.차세대 D램 규격인 DDR5는 기존 DDR4에 비해 두 배 이상의 성능을 자랑한다. 삼성전자가 이번에 개발한 DDR5 메모리 모듈의 용량은 512GB(기가바이트), 최대 전송 속도는 7200Mbps다. 1초에 30GB 용량의 4K UHD(3840×2160) 영화 2편을 처리할 수 있다. 용량과 전송 속도 모두 업계 최고 수준이다.삼성전자는 미세화 공정에 따른 누설 전류 문제를 막아 신제품에 고성능과 저전력을 동시에 구현했다. 규격이 높아질수록 D램의 절연막 두께가 얇아져 전류가 새어나갈 우려가 있다. 삼성전자는 시스템 반도체에 쓰이던 HKMG 공정을 적용해 기존 폴리실리콘옥시나이트라이드(PSiON) 대신 절연 효과가 높은 하이케이 물질을 절연막으로 썼다. 이를 통해 기존 공정 대비 전력 소모를 13% 줄였다. 전력 효율이 중요한 데이터센터에 적합하다고 삼성 측은 설명했다.범용 D램 제품으로는 처음으로 8단 실리콘관통전극(TSV) 기술이 쓰인 것도 특징이다. TSV는 반도체 칩과 칩 사이에 머리카락의 20분의 1 굵기인 전자 이동통로를 만들어 연결하는 패키징 기술로 고대역폭 메모리에 주로 쓰인다. 기존 와이어 본딩 기술보다 전자가 칩 사이를 오가는 속도가 빨라져 전송 속도와 전력이 크게 개선되는 게 장점이다.8단 TSV는 D램 칩 8개를 수직으로 적층해 연결한 것이다. 회사 측은 차세대 컴퓨팅과 인공지능(AI) 등 고용량 메모리 시장이 커지고 있어 범용 D램에도 이 기술을 적용했다고 설명했다. 삼성전자는 2014년 세계 최초로 범용 D램인 DDR4 메모리에 4단 TSV 공정을 적용했다.삼성전자는 이번 신제품을 통해 인텔과의 ‘동맹’이 강화될 것으로 예상했다. 인텔을 비롯한 중앙처리장치(CPU) 제조업체들이 에지컴퓨팅, 클라우드 데이터센터 등 미래 산업에 필요한 차세대 플랫폼을 개발하고 있기 때문이다.손영수 삼성전자 메모리사업부 상품기획팀 상무는 “시스템 반도체 기술 경쟁력을 바탕으로 업계 최초로 HKMG 공정을 메모리 반도체에 적용할 수 있었다”며 “이 같은 공정 혁신을 통해 선보인 DDR5 메모리는 높은 에너지 효율로 자율주행, 스마트시티 등 기술 개발이 앞당겨질 것으로 기대한다”고 밝혔다.이수빈 기자 lsb@hankyung.com
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"아시아 최선호 증시는 한국…반도체·車·산업재株 주목"

“한국 증시는 주가수익비율(PER)이 상승하면서 구조적인 상승기에 접어들었다. 금리 상승이 둔화하는 하반기 이후에는 코스피지수 랠리가 다시 펼쳐질 것이다.”댄 파인만 크레디트스위스 아시아태평양지역 투자전략 대표(사진)는 25일 한국경제신문과의 전화인터뷰에서 “메모리반도체와 D램 호황, 글로벌 경기 회복으로 한국의 반도체, 자동차, 산업재 업종이 증시를 이끌 것”이라며 이같이 말했다.파인만 투자전략 대표는 2년 전부터 한국 시장에 대해 매수 의견을 유지하고 있다. JP모간에서 1999년부터 2002년까지 아시아 시장을 분석했고 미국 중앙은행(Fed)과 재무부에서도 근무했다. 2018년부터는 크레디트스위스에서 아시아태평양지역 분석을 담당하고 있다. 2021 크레디트스위스 아시안인베스트먼트 콘퍼런스에 참석한 파인만 대표에게 한국 시장에 대한 외국인 투자자의 시각을 들어봤다.그는 한국 시장이 구조적인 상승장에 접어들었다고 했다. 배당성향(DPR)이 높아지며 저평가 해소 과정에 접어들고 있다는 게 그의 말이다. 파인만 대표는 “한국의 기업 지배구조가 개선되면서 배당성향이 높아지고 있는데 한국의 PER은 배당성향을 매우 밀접하게 추적해왔다”며 “코리아 디스카운트(한국 증시 저평가)를 해소하는 요인”이라고 설명했다. 배당성향과 함께 PER도 높아질 것이란 얘기다.올해 경기 회복에 대한 기대도 그가 한국을 최선호 국가로 꼽는 이유다. 중국과 대만은 작년에 이미 경제가 회복됐고 필리핀 인도네시아 태국 등 다수의 동남아시아 국가(개발도상국)는 아직 코로나19의 충격에서 벗어나지 못했기 때문에 올해 기저효과에 기반한 ‘성장 스토리’를 가진 한국에 관심을 기울여야 한다는 설명이다. 파인만 대표는 “한국의 경제 정상화를 이끌 스토리는 수출”이라며 “D램 호황으로 D램 생산업체들의 가격 결정력이 높아졌고 경기 회복기에는 철강, 조선, 산업재 등 다른 경기민감 산업도 유망하다”고 말했다.강(强)달러와 금리 상승도 단기적인 문제에 불과하다고 평가했다. 그는 “달러화 강세는 미국 경상수지 적자 확대로 이어지면서 수요를 늘리기 때문에 한국 시장에는 긍정적”이라며 “미국 Fed도 결국 실질금리 상승을 제한할 것이므로 하반기부터는 다시 코스피지수 랠리가 시작될 수 있다”고 내다봤다. 다만 지금은 일시적으로 신흥국 비중을 낮추기 위해 크레디트스위스의 자금 일부를 한국에서 일본으로 옮겼다고 전했다.성장주와 가치주 중에서는 가치주 상승세가 계속될 것으로 전망했다. 파인만 대표는 1월 말 발간한 보고서에서 포스코, 삼성전자, 현대차, 기아차, LG화학, KB금융을 최선호 종목으로 꼽았다. 그는 “미국과 유럽에서 부양책을 곧 시행할 것이고 경제 정상화 속도도 예상보다 빠르다”며 “여전히 성장주 대비 가치주의 밸류에이션이 낮기 때문에 가치주의 성과가 더 좋을 것”이라고 말했다. 기술주는 위험 요인이 있다고 밝혔다. 작년 코로나19로 사람들이 집에 머무는 시간이 길어지면서 5세대(5G) 통신, 데이터센터 등에서 폭발적인 수요가 발생했는데 백신 접종이 확대되면 기술주 수요가 둔화할 것이라는 게 그의 예상이다.자산배분 측면에서 채권 비중은 낮추고 주식 비중을 높이라고 강조했다. 파인만 대표는 “예전에는 채권이 주식의 위험을 분산시켜주는 수단이었지만 지금은 채권 가격과 주식 가격이 비슷한 방향으로 움직이고 있다”며 “채권 매수는 오히려 미래의 기대수익률을 낮추는 결과를 초래할 것”이라고 했다. 이어 “금은 이자를 지급하지 않기 때문에 금리 상승기에는 금 가격 상승세가 제한적”이라고 덧붙였다.아시아의 다른 유망 투자 지역으로는 싱가포르와 홍콩을 꼽았다. “싱가포르는 금융산업 비중이 높아 금리 상승으로 인한 혜택을 더 볼 수 있다”며 “미국 수출 의존도가 높아 미국 경제 정상화에 따른 경제 회복도 기대된다”고 설명했다.자산의 대부분을 부동산에 투자하는 아시아인의 특성을 고려하면 홍콩 부동산시장에도 관심을 둘 만하다고 조언했다. 파인만 대표는 “중국, 싱가포르, 한국과 달리 홍콩은 부동산시장에 대한 정부의 간섭 정도가 낮아 부동산 가격 상승폭이 매우 크다”며 “1~2년 안에 홍콩 리츠와 부동산개발회사 등이 수혜주로 떠오를 것”이라고 예상했다.한경제 기자 hankyung@hankyung.com
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삼성전자, 업계 최초 HKMG 공정 적용 고용량 DDR5 메모리 개발

삼성전자가 업계 최초로 '하이케이 메탈 게이트 (High-K Metal Gate, 이하 HKMG)' 공정을 적용한 업계 최대 용량의 512GB DDR5 메모리 모듈을 개발했다.DDR5는 차세대 D램 규격으로 기존의 DDR4 대비 2배 이상의 성능이며, 향후 데이터 전송속도가 7200Mbps로도 확장될 전망이다. 이는 1초에 30GB 용량의 UHD 영화 2편 정도를 처리할 수 있는 속도이다.삼성전자가 이번에 개발한 고용량 DDR5 모듈은 업계 최고 수준의 고용량ㆍ고성능ㆍ저전력을 구현해, 차세대 컴퓨팅, 대용량 데이터센터, 인공지능 등 첨단산업 발전의 핵심 솔루션 역할을 할 것으로 기대된다.이번에 개발된 DDR5 메모리는 메모리 반도체 공정의 미세화에 따른 누설 전류를 막기 위해 유전율 상수(K)가 높은 물질을 공정에 적용해 고성능과 저전력을 동시에 구현한 것이 특징이다.HKMG가 적용된 삼성전자 DDR5 메모리 모듈은 기존 공정 대비 전력 소모가 약 13% 감소해, 데이터센터와 같이 전력효율이 중요한 응용처에서 최적의 솔루션이 될 것으로 기대된다.또한 이번 제품에는 범용 D램 제품으로는 처음으로 8단 TSV(Through Silicon Via, 실리콘 관통 전극) 기술이 적용됐다.삼성전자는 고용량 메모리 시장의 확대와 데이터 기반 응용처의 확산에 따라 16Gb(기가비트) 기반으로 8단 TSV 기술을 적용해 DDR5 512GB 모듈을 개발했다.삼성전자는 2014년 세계최초로 범용 D램인 DDR4 메모리에 4단 TSV 공정을 적용해 64GB에서 256GB까지 고용량 모듈 제품을 서버 시장에 선보인 바 있다.삼성전자 메모리사업부 상품기획팀 손영수 상무는 "삼성전자는 메모리 반도체와 시스템 반도체 기술 경쟁력을 바탕으로 업계 최초로 HKMG 공정을 메모리 반도체에 적용했다"며, "이러한 공정 혁신을 통해 개발된 DDR5 메모리는 뛰어난 성능과 높은 에너지 효율로 자율주행, 스마트시티, 의료산업 등으로 활용 분야가 확대될 고성능 컴퓨터의 발전을 더욱 가속화시킬 것으로 기대된다"고 밝혔다.인텔 메모리 & IO 테크놀로지 총괄 VP 캐롤린 듀란(Carolyn Duran)은 "처리해야할 데이터 양이 기하급수적으로 늘어나는 클라우드 데이터센터, 네트워크, 엣지 컴퓨팅 등에서 차세대 DDR5 메모리의 중요성이 대두되고 있다"며, "인텔은 인텔 제온 스케일러블 (Intel® Xeon® Scalable) 프로세서인 사파이어 래피즈(Sapphire Rapids)와 호환되는 DDR5 메모리를 선보이기 위해 삼성전자와 긴밀하게 협력하고 있다"고 밝혔다.삼성전자는 HKMG 공정과 8단 TSV 기술이 적용된 고용량 DDR5 메모리를 차세대 컴퓨팅 시장의 고객 수요에 따라 적기에 상용화할 계획이다.