SK하이닉스는 지난해 10월 3세대 10나노급(1z) 미세공정을 적용한 16Gb DDR4 D램(사진)을 개발했다. 단일 칩 기준 업계 최대 용량인 16Gb를 구현했다.  SK하이닉스 제공

SK하이닉스는 지난해 10월 3세대 10나노급(1z) 미세공정을 적용한 16Gb DDR4 D램(사진)을 개발했다. 단일 칩 기준 업계 최대 용량인 16Gb를 구현했다. SK하이닉스 제공

SK하이닉스는 반도체 시황의 불확실성 속에서도 기술 혁신과 인프라 투자에 적극 나서고 있다. 2018년 11월 2세대 10나노급(1y) 미세공정을 통해 세계 최초로 JEDEC(국제반도체표준협의기구) 규격을 적용한 16Gb(기가비트) DDR5 D램을 개발한 게 대표적인 사례다. DDR5는 DDR4를 잇는 차세대 D램 표준규격이다. 빅데이터, 인공지능(AI), 머신러닝 등 차세대 시스템에 최적화된 초고속·저전력·고용량 제품이다. SK하이닉스가 개발한 DDR5 D램은 현재 널리 쓰이는 DDR4보다 전력소비량을 30% 줄일 수 있다. 전송 속도는 5200Mbps로 DDR4의 1.6배 수준이다.

SK하이닉스는 DDR5 D램을 주요 칩셋 업체에 제공해 상용화 가능성을 높였다. 제공된 제품은 서버와 PC에 사용되는 RDIMM과 UDIMM이다. 이 제품들은 칩 내부에 오류정정 회로를 내장하고 있다. 고용량 시스템의 신뢰성을 획기적으로 높일 수 있을 것으로 기대된다. D램의 읽기·쓰기 회로를 최적의 상태로 조정하는 ‘고속 트레이닝 기술’ 등 초고속 동작을 위한 첨단기술도 적용됐다. SK하이닉스는 올해 DDR5 D램을 본격 양산해 고객 수요에 적극 대응할 계획이다.

지난해 10월엔 3세대 10나노급 미세공정을 적용한 16Gb DDR4 D램도 개발했다. 단일 칩 기준 업계 최대 용량인 16Gb를 구현했다. 웨이퍼 한 장에서 생산되는 메모리 총 용량이 가장 크다. 1y 제품 대비 생산성이 약 27% 향상됐다.

고부가가치·고성능 D램 개발·생산도 한창이다. 2019년 8월엔 HBM2E D램 개발에 성공했다. HBM2E는 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 끌어올린 HBM D램의 차세대 제품이다. 이전 규격 제품인 HBM2 대비 처리 속도가 50% 이상 빠르다. 올해 본격 양산을 시작해 프리미엄 메모리반도체 시장에서의 리더십을 강화한다는 게 SK하이닉스의 전략이다. GDDR6(Graphics DDR6) 그래픽 D램도 개발했다. 최근 인공지능(AI), 슈퍼컴퓨터, 자율주행차 등에 CPU(중앙처리장치)를 대신해 들어가는 GPU(그래픽 프로세서 유닛)를 뒷받침하는 반도체다.

황정수 기자 hjs@hankyung.com

ⓒ 한경닷컴, 무단전재 및 재배포 금지