현대오토에버 대표이사에 정영철 현대차 부사장 내정
정 부사장은 1960년생으로 미국 콜로라도대학교 기계공학 석사 과정을 마쳤다. 그는 현대차 정보보안기획팀장(상무)과 감사기획팀장(전무) 등을 역임했다.
회사 측은 풍부한 경험을 쌓은 만큼 현대오토에버의 안정적 사업 운영과 조직 혁신을 이끌 적임자라고 평가했다.
박상재 한경닷컴 기자 sangjae@hankyung.com
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KB금융그룹의 올해 1분기 당기순이익이 4년 만에 최저치에 그쳤다. 핵심 자회사인 국민은행이 홍콩 H지수 주가연계증권(ELS) 자율배상 비용 8620억원을 충당부채로 반영하면서다. 실적 악화에도 불구하고 KB금융은 금융권 최초로 ‘배당총액 기준 분기 균등배당’을 도입하는 등 주주환원 강화 카드를 꺼냈다. KB금융 주가는 25일 0.58% 오른 6만9300원에 마감됐다. ○이자·수수료 수익 ‘증가’KB금융은 1분기 순이익이 1조491억원으로 집계됐다고 이날 발표했다. 작년 1분기(1조5087억원)와 비교해 30.5% 감소했다. 2020년(7295억원) 후 가장 적다. 단 일회성 비용(ELS 배상)을 제외할 경우 당기순이익은 1조5929억원으로 지난해 실적을 웃돈다.KB금융의 1분기 이자이익은 3조1515억원으로 작년 1분기(2조8239억원)보다 11.6% 증가했다. 고금리가 이어지는 가운데 국민은행 원화대출금이 작년 말보다 2조원 넘게 늘어나면서다. 수익성 지표인 순이자마진(NIM)도 국민은행이 고금리로 조달한 정기예금 만기가 끝나면서 작년 4분기(2.08%)에 비해 0.03%포인트 상승한 2.11%를 기록했다. 전체 영업이익(4조4412억원)에서 이자이익이 차지하는 비중은 70.9%였다.주식거래 수수료 증가와 인수금융 주선 등 투자은행(IB) 부문 선전으로 1분기 수수료 수익도 작년 1분기(9140억원)보다 8.3% 증가한 9901억원으로 집계됐다. 원·달러 환율 상승 여파로 유가증권 및 외환 관련 이익이 줄면서 1분기 기타영업이익은 전년(6366억원)에 비해 57.5% 감소한 2704억원에 그쳤다. 미래 손실에 대비해 쌓는 대손충당금은 4284억원으로 작년 1분기(6682억원)보다 35.9% 줄었다. ○주당배당금 확대 기대국민은행의 1분기 순이익은 ELS 배상(8620억원) 여파
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'큰손' 젠슨 황 만난 최태원…HBM4 공급물량 논의했나
최태원 SK그룹 회장(사진 오른쪽)이 미국 실리콘밸리를 찾아 미국 반도체 기업 엔비디아의 젠슨 황 최고경영자(CEO·왼쪽)와 만났다. SK하이닉스가 주도하고 있는 고대역폭메모리(HBM)와 관련한 논의를 했을 것이라는 관측이 나온다.SK 관계자는 25일 “최 회장이 지난 22일 실리콘밸리에 도착해 젠슨 황 CEO를 만났다”고 말했다. 엔비디아는 세계 인공지능(AI) 가속기 시장의 80%가량을 장악하고 있는 기업이다. AI 가속기는 엔비디아가 생산하는 그래픽처리장치(GPU)와 HBM을 한데 붙여 만든다. 이 HBM의 대부분을 SK하이닉스가 납품한다. 그런 만큼 만남의 주제는 ‘차세대 HBM 공급’이 됐을 것으로 업계는 예상하고 있다.SK하이닉스가 1분기 ‘어닝 서프라이즈’를 낸 데 일등공신도 HBM이었다. 영업이익률이 50%를 웃도는 HBM이 날개 돋친 듯 팔리면서 D램 부문에서만 2조원이 넘는 영업이익을 냈기 때문이다. SK하이닉스는 세계 HBM 시장의 절반 이상을 점유하고 있다.SK하이닉스는 지난달 말부터 엔비디아에 납품하고 있는 최신 제품 HBM3E 생산능력을 확대해 삼성전자와의 격차를 벌린다는 계획이다. 김우현 SK하이닉스 최고재무책임자(CFO·부사장)는 이날 콘퍼런스콜에서 “올해 고객이 원하는 HBM3E 제품은 주로 8단”이라며 “HBM3E 12단 제품은 오는 3분기 개발을 완료한 뒤 내년쯤 공급하려고 준비 중”이라고 말했다. HBM 공급과잉 우려에 대해선 “HBM 시장은 급격한 성장을 지속할 것”이라며 “2025년 이후까지 장기 프로젝트를 논의하고 있다”고 설명했다.감산 정책을 유지해온 D램과 낸드플래시는 올 하반기 재고 수준이 정상화될 것이란 전망을 내놨다.SK하이닉스는 &
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삼성보다 빨리…TSMC "2026년 하반기 1.6나노 공정 시작"
세계 최대 파운드리 업체 TSMC가 2026년 하반기부터 1.6나노미터(㎚·1㎚=10억분의 1m) 공정을 도입한다고 밝혔다. 초미세 공정 경쟁에서 삼성전자를 따돌리겠다는 의미다. 파운드리 업계의 최신 공정은 3나노다.TSMC는 25일 미국 캘리포니아주 샌타클래라에서 연 기술 콘퍼런스에서 “새로운 칩 제조 기술인 ‘A16’를 활용한 제품을 2026년 하반기부터 생산한다”고 발표했다. A16 기술은 1.6나노 공정을 의미한다. 앞서 TSMC는 내년 2나노 공정, 2027년 1.4나노 공정으로 양산하겠다는 계획을 밝혔다. 개발 속도로 보면 삼성전자와 똑같다. 두 회사는 지난해 3나노 양산에 성공했다. 2021년 파운드리 사업에 재진출한 인텔은 2~3나노를 건너뛰고 올해 말부터 1.8나노 공정에 착수한다고 밝혔다.1나노 공정 상용화를 앞두고 파운드리 3사는 치열한 주도권 싸움을 벌이고 있다. 인텔은 지난주 네덜란드 ASML의 차세대 노광장비(EUV)를 설치했다고 밝혔다. 이 장비는 2나노 이하 초미세 회로를 그리는 데 필수적인 장비다.삼성전자는 2나노가 TSMC와의 격차를 줄이는 터닝포인트가 될 것으로 기대하고 있다. 차세대 공정 기술로 꼽히는 게이트올어라운드(GAA)에서 앞서가고 있기 때문이다. 삼성전자는 3나노 공정부터 GAA 공법을 도입했다.경계현 삼성전자 디바이스솔루션(DS)부문장은 지난해 “삼성의 파운드리 기술력이 TSMC에 1~2년 뒤처져 있지만, TSMC가 2나노 공정에 들어오는 시점을 계기로 5년 내 앞설 수 있다”고 했다.박의명 기자
