"대용량 서버 처리속도 2배 높이고 절반 절전"

삼성전자는 글로벌 반도체 업계 최초로 3차원 TSV(실리콘 관통전극) 적층 기술을 적용한 64기가바이트(GB) DDR4(더블데이터레이트4) 서버용 D램 모듈을 양산하기 시작했다고 27일 밝혔다.

TSV는 와이어를 이용해 반도체 칩을 연결하는 기존 방식이 아니라 칩에 미세한 구멍을 뚫어 칩 상·하단을 전극으로 연결하는 기술이다.

D램 칩을 종이 두께 절반보다 얇게 깎은 뒤 수백 개의 미세한 구멍을 뚫고, 상단 칩과 하단 칩의 구멍을 수직으로 관통하는 전극을 연결하는 첨단 패키징 기법이라고 삼성전자는 설명했다.

이번 모듈은 20나노급 4기가비트(Gb) D램 칩 144개로 구성된 대용량 제품이다.

4기가비트 D램을 4단으로 쌓아 만든 4단 칩 36개를 탑재했다.

삼성전자는 이 모듈과 차세대 서버용 CPU(중앙처리장치)를 연계해 글로벌 IT(정보기술) 업계의 신규 시장을 적극 공략하겠다는 전략이다.

삼성전자는 지난해 업계 최초로 3차원 V낸드플래시를 양산했다.

3차원 V낸드 기술은 메모리 셀을 적층하는 기술인 데 비해 3차원 TSV 기술은 메모리 칩을 적층하는 기술이다.

3차원 TSV 기술로 기존 서버용 D램과 비교할 때 동작 속도를 2배 높이고 소비전력을 절반으로 절감할 수 있다고 삼성전자는 부연했다.

삼성전자 메모리사업부 백지호 상무는 "하반기 업계의 차세대 CPU 출시에 맞춰 초절전 솔루션을 제공하고 프리미엄 DDR4 D램 시장을 선점할 수 있게 됐다"고 말했다.

시장조사기관에 따르면 올해 D램 시장은 386억 달러(39조원) 규모로 그 중 서버 시장이 20% 이상의 비중을 차지할 것으로 전망된다.

(서울연합뉴스) 옥철 기자 oakchul@yna.co.kr