60나노比 생산성 60% 향상..원가 경쟁력 제고

삼성전자[005930]가 세계 최초로 51나노(머리카락 두께 2천분의 1) 공정을 적용한 세계 최대 용량의 16기가비트(Gb) MLC(멀티레벨셀) 낸드플래시 양산에 돌입했다.

삼성전자는 지난해 8월 60나노급 공정을 적용한 8기가 낸드플래시 양산을 개시한 데 이어 약 8개월만에 용량과 성능을 약 2배 향상시킨 16기가 제품 양산에 들어갔다고 29일 밝혔다.

삼성전자는 이에 앞선 지난 3월 업계 최소 선폭인 51나노 기술을 적용한 8기가 낸드플래시의 양산을 개시한 바 있다.

이 제품으로 32기가바이트(GB) 메모리 카드를 제작할 경우 DVD급 영화 20편(약 32시간)이나 MP3 파일 8천곡, 일간지 200년치 분량을 각각 저장할 수 있다.

삼성전자는 51나노 16기가 낸드플래시 양산은 업계 최소 회로 선폭을 적용한 것이며, 55-57나노가 주류를 이루고 있는 다른 업체들의 50나노급 제품에 비해 앞선 세대 공정이라고 설명했다.

삼성전자는 또 51나노 기술을 적용한 낸드플래시가 기존 60나노급 제품에 비해 60% 정도 생산성 향상이 가능하며, 2키로바이트(KB)를 기본단위로 구동되는 기존의 60나노급과 달리 4키로바이트를 기본 단위로 데이터를 처리, 60나노급 낸드플래시에 비해 읽기와 쓰기 속도가 약 2배 정도 빠르다고 덧붙였다.

삼성전자는 낸드플래시의 데이터 처리단위 변경에 맞춰 신제품 출시와 함께 이를 지원하는 소프트웨어도 제공할 예정이다.

삼성전자는 이번 51나노 16기가 낸드플래시 양산 돌입이 최근의 낸드플래시 가격 상승세와 맞물려 반도체 부문의 수익성 개선에 긍정적 요인으로 작용할 것으로 내다보고 있다.

그동안 낸드플래시 시장에서 주력 제품의 용량이 대체로 1년에 2배씩 성장하는 점을 감안하면 지난해 4기가, 올해 8기가에 이어 내년에는 16기가가 주력 제품이 될 것으로 예상된다.

이에 따라 삼성전자는 지난해 40나노급 32기가 낸드플래시를 세계 최초로 개발하는 데 성공한 데다 올해 업계 최초로 16기가 낸드플래시 양산에 돌입함으로써 경쟁사들에 앞서 차세대 낸드 시장을 선점할 것으로 기대하고 있다.

50나노급 낸드 시장은 내년부터 주력 시장으로 성장, 2010년까지 총 210억달러 규모로 성장할 것으로 예상되고 있다.

한편 하이닉스[000660]반도체도 지난 26일 열린 1.4분기 기업설명회에서 현재 개발중인 48나노 16기가 MLC 낸드플래시를 올해 말부터 양산할 계획이고 밝힌 바 있다.

(서울연합뉴스) 김인철 기자 aupfe@yna.co.kr