하이닉스반도체는 인텔로부터 고성능 메모리 반도체인 512메가 DDR2 SD램(533MHz 및 400MHz 단품 2종)에 대한 제품인증을 획득했다고 15일 밝혔다. 지난 2월에 256메가 DDR400, 6월에 512메가 DDR400 단품 및 모듈에 대한 제품인증을 받았던 하이닉스는 이번에 DDR2가 인텔의 모든 테스트를 통과함으로써 초고속DDR 제품에 대한 국제적인 공신력을 얻게 됐다. 512메가 DDR2는 0.11미크론 기술을 적용해 1.8V의 동작전압에서 533MHz 및 400MHz의 동작속도를 구현할 수 있도록 개발됐으며 하이닉스는 내년 1.4분기부터 이 제품을 본격 양산할 계획이다. 하이닉스 메모리 마케팅 총괄담당 파하드 타브리지 상무는 "서버와 PC업계가 인텔의 DDR2 메모리를 지원하는 다양한 칩셋들을 채택함에 따라 내년에는 DDR2 메모리수요가 폭발적으로 증가할 것"이라고 말했다. (서울=연합뉴스) 권혁창기자 faith@yonhapnews