하이닉스반도체는 내년초부터 ST마이크로와의 제휴를 통해 난드(NAND)형 플래시메모리의 본격 양산에 들어간다고 22일 밝혔다. 하이닉스는 이날 여의도 63빌딩에서 1년6개월만에 열린 기업설명회(IR)에서 이같이 밝히고 "내년말까지 ST마이크로와 함께 2만-3만개 정도의 난드형 플래시를 생산할 계획이며 생산량은 언제든 늘릴 수 있을 것으로 본다"고 말했다. 하이닉스는 이와관련 "난드형 플래시메모리에 대해선 삼성전자와 도시바가 디바이스에 대한 특허를 가지고 있지만 상호협력이나 크로스 라이센싱으로 큰 문제는 없을 것"이라고 밝혔다. 하이닉스는 또 "올해 설비투자 규모는 7억달러(8천억여원) 정도로 당초 계획보다 늘어났으며 현재까지 절반인 4천억원 정도를 투입했고 나머지중 일부는 12인치 웨이퍼 투자에 들어갈 것"이라고 말했다. 하이닉스 전략기획실 권오철 상무는 "내년 설비투자 규모는 연말 현금보유량에 따라 가변적이지만 올해보다 많을 것"이라고 말했다. (서울=연합뉴스) 권혁창 기자 faith@yonhapnews