하이닉스반도체가 고성능 메모리반도체인 DDR2 제품에 대한 미국 인텔사의 검증을 통과했다고 17일 밝혔다. 이번에 인텔 검증을 통과한 제품은 512메가 DDR2 SD램 단품으로 최근 차세대 칩셋인 '린덴허스트'(Lindenhurst)와의 연동 테스트를 성공적으로 통과, 초고속 DDR제품에 대한 국제적인 공신력을 얻게 됐다고 하이닉스측은 설명했다. 이 제품은 0.11미크론 기술을 적용해 1.8V의 동작전압에서 667MHz의 동작속도를 구현할 수 있도록 개발됐으며 내년 초 본격 양산에 들어갈 예정이다. 하이닉스는 지난 6월 업계에서 처음으로 512메가 DDR400 제품에 대해 인텔 인증을 받은데 이어 이번 제품검증 통과로 초고속 DDR 메모리 시장에서의 선도적 지위를 더욱 강화하게 됐다고 밝혔다. 또 이 제품은 DDR2 이중직렬메모리모듈(DIMM)에 기본적으로 적용되는 것은 물론OEM 업체와 시스템 개발업체들의 서버, 워크스테이션, PC 등에 안정적이고 효율적인 DDR2 환경을 제공해 줄 것으로 하이닉스측은 기대하고 있다. 이와 관련 인텔 선임연구원인 피트 맥윌리엄스는 "하이닉스의 저전력 고성능 DDR2 기술은 인텔이 내년부터 진행하는 차세대 서버, 워크스테이션, 데스크톱, 모바일 플랫폼 등과 호환성이 좋아 기술 개발에 큰 도움을 주고 있다"고 전했다. 하이닉스반도체 메모리 마케팅 총괄담당 파하드 타브리지 상무는 "서버와 PC 업계가 인텔의 DDR2 메모리를 지원하는 다양한 칩셋들을 채택함에 따라 내년에는 DDR2메모리 수요가 폭발적으로 증가할 것"이라고 전망했다. (서울=연합뉴스) 권혁창 기자 faith@yonhapnews