삼성전자가 플래시메모리 등 비휘발성메모리보다 데이터 처리속도가 1천배 가량 빠른 차세대 메모리반도체 P램의 기술개발에 성공했다고 7일 밝혔다. P램(Phase change RAM)이란 물질의 상(相) 변화를 이용해 데이터를 저장하는 메모리반도체로 상(相)이 무정형(無定形) 상태에서 결정질 상태로 변화될 때 1비트(bit)의 데이터를 저장할 수 있다. 이 제품은 3.0V 전압에 쓰기속도 100ns(나노초.10억분의 1초), 읽기속도 50ns로동작하고 20억회까지 반복사용이 가능하며 70도 고온에서 20년간 데이터를 보존할수 있다. 이런 특성은 노아(NOR)형 플래시메모리의 속도 및 내구성을 1천배 향상시킨 것으로 상용화될 경우 휴대폰 등에서 폭넓게 사용되고 있는 플래시메모리를 대체할 것으로 예상된다. P램의 소재는 비휘발성 물질인 '게르마늄 안티몬 텔룰라이드'(Ge₂Sb₂Te5)가이용됐으며, 삼성전자는 개발 과정에서 대부분의 경쟁사들이 '바이 씨모스'(BiCMOS)공정을 이용하고 있는데 비해 상대적으로 공정이 용이하고 상품화 가능성이 높은 '씨모스(CMOS) 기술을 적용했다고 설명했다. 삼성전자는 지난달 일본 교토에서 열린 심포지엄에서 P램과 관련한 3편의 논문을 발표했으며 메모리반도체의 획기적인 전기를 마련했다는 업계의 평가를 받았다. (서울=연합뉴스) 권혁창 기자 faith@yonhapnews