일본의 D램 반도체 제조업체인 엘피다메모리가 0.1 마이크론(㎛) 공정을 적용한 생산시설의 가동 시기를 올 3.4분기로 연기했다고 대만 전자시보가 일본 덴파(電波)신문을 인용해 25일 보도했다. 댄파에 따르면 당초 엘피다는 현재 0.13㎛ 공정을 적용하고 있는 히로시마의 12인치 웨이퍼 공장에 올 2.4분기부터 0.1㎛ 공정을 도입할 계획이었다. 덴파는 엘피다가 생산량의 50%를 히로시마 공장에서 만들고 나머지 물량은 중국과 대만 업체로부터 충당할 계획이라고 덧붙였다. (서울=연합뉴스) 김세진기자 smile@yna.co.kr