삼성전자는 세계 최고 권위 반도체 학회인 ISSCC(International Solid-State Circuits Conference:국제고체회로학회)로부터 6개의 논문이 우수상으로 선정됐다고 12일 발표했다. 삼성전자는 이날 ISSCC가 서울 신라호텔에서 개최한 반도체 우수논문 발표회에서 '저전압/고속 72메가 DDR3 S램 개발'과 지난 9월 세계 최초로 90나노 공정을 상용화시킨 '2기가 NAND 플래시 메모리'개발 관련 논문이 우수상으로 뽑혀 공개됐다고 밝혔다. 또 '초고속 5백12메가 DDR II 개발' 및 '저전압 2백56메가 SD램 개발' 논문도 우수논문에 선정됐다. 이번에 선정된 논문은 내년 2윌 ISSCC 컨퍼런스에 공식 발표될 예정이다. 김성택 기자 idntt@hankyung.com