삼성전자는 모바일용 차세대 반도체 메모리인 F램(Ferroelectric RAM:강유전체 메모리)을 세계 최초로 개발했다고 16일 발표했다. F램은 D램과 S램, 플래시메모리 등 기존 메모리의 특성 한계를 뛰어넘는 새로운 개념의 반도체 메모리로 고속동작이면서 비휘발성, 저전압, 저전력 등의 장점을 갖고 있는 제품이다. 또 단순한 제조공정과 낮은 제조원가, 기존 메모리 제조라인을 사용해 투자부담이 적은 점 등으로 모바일 기기용으로는 최적의 메모리 반도체로 평가돼 업체간 개발경쟁이 치열하다. 삼성전자는 이번 F램 개발 성공으로 세계에서 집적도가 가장 높은 32Mb 제품기술과 이 기술을 적용한 4Mb F램의 샘플을 확보하고 이를 통해 휴대폰을 완벽히 동작시킴으로써 업계 최초로 F램이 모바일 기기에서 사용될 수 있음을 입증했다. 삼성전자의 4M F램은 기존 256Kb 제품 대비 16배의 대용량이며 3.0V의 저전압동작, 80ns(나노초:10억분의 1초)의 고속동작, 비휘발성 등의 특성을 갖추고 있다. 또 후속공정에서 손상을 막는 강유전체보호 기술, 일체식각 기술, 초박막 강유전체 기술로 셀 크기 1㎛²의 한계를 극복하고 세계 최소인 0.94㎛²을 구현했다. 삼성전자는 이와 같은 기술적 우위를 바탕으로 현재의 네트워크 기기의 배터리백업용 S램 시장과 내년부터 급격한 성장이 예상되는 F램 시장의 선점에 본격적으로 나서는 한편 64M 이상의 F램 개발을 본격화할 계획이다. 삼성전자는 "F램의 고집적화 및 대용량화를 대비해 업계 최다인 총 137건의 원천특허를 확보, 경쟁력과 주도권을 선점했다"면서 "연말부터 양산을 시작할 계획"이라고 밝혔다. 메가급의 대용량 F램은 휴대폰 PDA 스마트폰 스마트카드 네트워크 제품 등에서 폭넓게 사용될 될 것으로 보이며 시장규모는 2004년에 33억불, 2008년에 267억불로지금보다 각각 5배, 40배의 고성장이 예상된다. (서울=연합뉴스) 유경수기자 yks@yna.co.kr