'실리콘 반도체의 터보엔진'으로 불리는 차세대 반도체기술이 세계에서 네번째로 국내에서 개발됐다. 한국전자통신연구원(ETRI)은 8일 '실리콘-게르마늄 SS-HMOS(Strained-Silicon Heterostructure MOS)'반도체소자를 개발했다고 발표했다. SS-HMOS는 반도체 트랜지스터의 한 종류로 실리콘 MOS(Metal Oxide Semiconductor) 소자에 비해 잡음이 적고 고속으로 동작된다. ETRI는 SS-HMOS에는 실리콘-게르마늄 이종접합층과 산화막을 고품질로 형성하고 두께를 나노미터(머리카락 굵기의 10만분의 1)급으로 제어해야 하는 나노기술이 적용된다며 정보기술(IT)과 생명공학(BT)의 융합에 핵심적인 기술이라고 설명했다. 심규환 책임연구원은 "회로의 전력소모를 절반으로 줄일 수 있어 고속·저전력 중앙연산처리장치(CPU),차세대 대용량 통신기술인 40Gbps 광네트워크,50Mbps 무선랜 등에 활용될 수 있다"며 "독일 다임러크라이슬러와 미국 IBM,인텔만이 기술 개발에 성공한 상태"라고 말했다. 강현철 기자 hckang@hankyung.com