삼성전자는 회로선폭 70나노(1나노:10억분의 1m)의 초미세 공정에서 전자의 이동을 완벽히 차단해 최적의 반도체 성능을 구현할 수 있는 '고유전막 (High-k Film)공정'을 업계 최초로 개발했다고 4일 발표했다. 삼성전자는 원자층 증착기술(ALD:Atomic Layer Deposition)을 적용해 반도체 회로사이에 하프늄옥사이드(HfO2) - 알루미늄옥사이드(AL2O3)의 신소재로 새로운 층상구조의 유전막을 형성하는 이 공정기술로 기존 유전막 공정기술에 비해 정전용량 향상과 공정수 감축, 시설투자 절감이 가능해졌다고 설명했다. 삼성전자는 나노급 반도체의 상용화가 2004년부터 본격화될 것으로 전망됨에 따라 이번에 개발한 신공정 기술을 올 하반기부터 90나노급 공정에, 2004년부터는 70나노급 공정에 적용할 계획이다. 삼성전자는 반도체 칩 사이즈를 줄이는 미세공정기술의 발전에 따라 기존 소재의 반도체 유전막으로는 반도체 기능구현에 한계가 있었으나 이번 신소재의 고유전막 공정은 그 한계 극복의 해법을 제시한 것에 의미가 있다고 밝혔다. 삼성전자는 이번 공정기술을 미국, 일본, 대만 등에서 특허출원을 마쳤으며 이달말 하와이에서 열리는 국제 반도체 학술회의인 'VLSI Technology 심포지엄'에서 관련 논문 2편도 발표할 예정이다. (서울=연합뉴스)김현준기자 june@yna.co.kr