삼성전자는 IT(정보기술) 산업의 핵심이 될 SOC(시스템온칩) 반도체의 동작속도 개선과 초소형화에 필요한 `90㎚(나노:1㎚=10억분의1ｍ) 공정기술' 개발에 성공, 나노시대를 열었다고 28일 발표했다. 삼성전자는 이 기술을 2004년부터 주력사업인 휴대기기용 CPU 및 SOC 제품 양산에 우선 적용하고 마이크로프로세서, 모바일칩 등 비메모리반도체인 시스템LSI 전분야로 확대할 계획이다. 삼성전자가 이번에 개발한 공정기술은 1V의 저전압에서 동작하는 90㎚ 크기의 미세한 트랜지스터에 구리 다층배선공정을 적용한 것으로 SOC 제품의 속도향상 및 저전력화에 기여하게 된다. 90㎚ 공정기술은 기존의 0.13㎛(미크론) 공정과 비교하면 동작속도는 30% 향상되고 칩 크기는 50%가량 축소가 가능하다고 삼성전자는 설명했다. 삼성전자는 이 기술을 바탕으로 초고속 공정 및 저전압 공정은 물론 메모리 내장공정 등 90㎚공정의 전략적 포트폴리오를 내년까지 갖출 예정이다. 한편 SOC는 여러가지 반도체 칩을 하나의 칩에 집적화.시스템화하는 기술로 디지털기술 및 제품의 융합을 위해서는 나노기술의 확보가 필수적이라고 삼성전자는 밝혔다. (서울=연합뉴스) 김현준기자 june@yna.co.kr