삼성전자[05930]는 신기술로 발표한 '4기가 반도체설계기술 논문'이 5일(한국시간) 미국 샌프란시스코에서 열리고 있는 국제반도체학회(ISSCC)에서 최우순 논문상(Outstanding Paper Award)을 받았다고 밝혔다. 삼성전자의 4기가 D램 설계기술 관련 논문은 ▲세계 최초의 4기가비트 D램을 완전한 메모리 저장 셀동작구조로 구현하고 0.10㎛의 벽을 돌파하는 초미세화 과정에서 D램 성능에 심각한 문제로 대두되는 각 셀간의 연결 결함문제를 줄일 수 있는 D램 배치 설계구조를 개발하는 등 반도체 기술이 지향하는 초미세화 기술의 상용화에서 주요 난제를 해결한 것으로 평가받고 있다고 삼성전자는 설명했다. ISSCC는 학회 참석자들의 논문 평가점수와 발표점수를 토대로 시상위원회에서최우수 논문을 선정해 발표해 오고 있다. 한편 삼성전자는 지난해 2월 4기가 D램과 관련, 완전한 4기가 D램이 나오기 위해 필요한 설계기술.공정기술.제품기술.시제품상용화기술.양산기술 단계중 3단계인제품기술까지 발표했었다. (서울=연합뉴스)김현준기자 june@yna.co.kr