삼성전자는 저장용량이 2백56메가 제품의 2.25배에 달하는 5백76메가 램버스D램을 세계 최초로 개발했다고 27일 발표했다. 5백76메가 램버스D램은 저장용량이 클 뿐만 아니라 회로선폭 0.12㎛(1㎛=1백만분의 1m)의 미세공정 기술을 적용, 기존의 0.15㎛ 제품에 비해 크기도 줄인게 특징이다. 또 '32뱅크 구조'보다 단순한 '4뱅크 구조'로 설계돼 원가경쟁력이 크게 높아졌으며 동작속도도 1천66㎒로 일반 PC에 사용되는 싱크로너스D램(SD램, PC 1백33㎒ 기준)보다는 8배, DDR(더블 데이터 레이트, 2백66㎒ 기준) D램보다는 4배나 빠르다고 이 회사는 설명했다. 삼성은 미국 인텔사의 4뱅크 램버스D램 지원용 칩셋이 출시되는 내년 2.4분기부터 이 제품의 양산에 들어갈 예정이다. 5백76메가 램버스D램은 대용량 데이터를 고속처리하는 동영상 및 그래픽 처리에 적합해 고성능 컴퓨터, 워크스테이션, 대형서버, 게임기, 셋톱박스 등에 주로 사용될 전망이다. 삼성은 현재 램버스D램 시장의 60% 이상을 점유하고 있는데다 5백76메가 제품을 가장 먼저 개발, 램버스D램 시장 점유율을 더욱 높일 수 있을 것으로 보고 있다. 김성택 기자 idntt@hankyung.com