삼성전자는 256메가 저전력 SD램을 업계 처음으로 양산한다고 23일 밝혔다. 이 제품은 회로선폭 0.15㎛ 공정을 적용하고 2.5V 저전압에서 작동되도록 설계돼 저장용량이 크고 소비전력과 사이즈가 작은 반도체가 들어가는 차세대 휴대형 디지털 정보기기에 적합하다고 삼성전자는 밝혔다. PASR, TCSR 등 초절전기술을 적용, 소비전력이 기존 제품보다 10분의 1로 줄어들고 초소형 패키징 기술(CSP)로 크기가 기존제품의 절반에 불과하다고 삼성전자는 설명했다. 저전력 SD램은 PC에서 주기억장치로 사용되는 범용 SD램보다 가격이 훨씬 비싸 최근 휴대기기용 SD램 시장에서 개발경쟁이 가장 치열한 고부가가치 반도체다. 삼성전자는 "이번 제품출시로 IMT-2000폰, 디지털캠코더, 스마트폰, PDA, 디지털카메라에 탑재될 저전력 SD램 반도체 시장에서 유리한 위치를 갖게됐다"며 "내년 휴대기기용 저전력 SD램 세계시장에서 50% 이상을 점유할 계획"이라고 밝혔다. (서울=연합뉴스) 노효동기자 rhd@yna.co.kr