차세대 반도체인 F램(강유전체 메모리 반도체,Ferroelectric RAM)의 치명적 결함을 국내 연구진이 해결했다. 포항공대 신소재공학과 장현명(49) 교수팀은 반도체 소자의 백금 전극상에 얇은 막을 입히는 방법으로 F램 소재인 'PZT박막'의 전기적 피로현상을 완전히 해결했다고 밝혔다. 지금까지 PZT박막은 4백만번 이상만 사용하면 피로현상이 나타나 저장된 정보가 급격히 손실되는 문제가 있었다. 장 교수는 "이번에 개발된 기술을 이용하면 6백50억번을 사용해도 전혀 문제가 없다"고 설명했다. 현재까지 전기적 피로현상을 해결하기 위해 이리듐을 PZT소자에 입히는 방식을 사용했지만 워낙 가격이 비싸고 공정이 복잡해 경제성이 떨어졌다. 이와 관련,삼성전자 관계자는 "기존 PZT소자의 문제를 획기적으로 해결한 것으로 판단된다"며 "생산공정에 적용하는 과정에서 문제가 없으면 F램의 성능을 크게 향상시킬 수 있을 것"이라고 말했다. F램은 D램의 고용량 데이터 저장 기능과 S램의 고속동작 기능,플래시 메모리 반도체의 불휘발성 등의 장점을 고루 갖춘 차세대 반도체로 삼성전자 도시바 히타치 등 세계 유수의 반도체 메이커들이 치열한 개발경쟁을 벌이고 있다. 김남국 기자 nkkim@hankyung.com