하이닉스반도체는 전력소모를 60% 이상 줄인 차세대 이동정보 통신기기용 초저전력 SD램 개발에 성공했다고 11일 밝혔다. 이 제품은 기존 3V보다 낮은 2.5V의 저전압에서 동작해 휴대기기의 배터리 사용시간을 대폭 늘릴 수 있다. 하이닉스 관계자는 "오는 3분기 중에 이 제품을 양산하고 내년 상반기 중에는 256메가 초저전력 SD램 제품도 양산할 계획"이라며 "초기시장을 선점하기 위한 유리한 위치를 확보할 수 있을 것"이라고 말했다. 한경닷컴 김은실기자 kes@hankyung.com