삼성전자가 메모리 및 주문형 반도체 등 차세대 제품 생산을 확대하기 위해 3개 반도체 생산라인을 추가로 건설한다.

삼성은 "지난 4일 이사회를 열고 총 3조8천4백24억원을 투자해 2003년까지 메모리 반도체 2개 라인,주문형 반도체 및 시스템 LSI 제품 생산 1개 라인을 건설키로 결의하고 5일 증권거래소에 공시했다"고 발표했다.

현재 10개 반도체 라인을 갖고 있는 삼성이 3개 라인을 추가로 짓기로 결정한 것은 미국의 마이크론테크놀로지, 국내 현대전자 등 메이저 반도체 회사와의 격차를 벌여 확고하게 반도체 수위자리를 지키기 위한 전략으로 풀이된다.

또 최근 제기된 반도체 경기논쟁을 불식시켜 기업가치를 끌어올리고 주가하락을 막으려는 의지도 담겨있는 것으로 보인다.

삼성전자는 3개 라인을 완공하면 현재 월간 25만장의 웨이퍼(8인치 기준)를 가공할 수 있는 생산능력이 30% 정도 증가할 것으로 전망했다.

이렇게 되면 삼성전자의 D램 반도체 시장점유율이 현재의 20% 수준에서 최고 30%까지 높아질 가능성이 높다.

삼성측은 경기도 화성단지에 메모리 반도체 2개 라인을 건설하고 충남 온양 단지에 비메모리 공장을 지을 예정이라고 설명했다.

투자비는 외부 차입없이 영업을 통해 벌어들인 수익금으로 조달키로 했다.

삼성은 특히 메모리 생산라인중 한개 라인을 12인치 웨어퍼 가공용 공장으로 건설키로 했다.

이 회사 관계자는 "삼성은 지속적인 연구개발(R&D) 투자를 통해 12인치 웨이퍼를 가공할 수 있는 공정기술을 대부분 확보하고 있다"고 말했다.

한편 삼성전자에서 반도체부문을 총괄하는 이윤우 사장은 6일 서울 태평로 삼성본관에서 기자회견을 갖고 3개 라인 투자결정 배경 등 중장기 반도체 사업전략을 발표한다.

이익원 기자 iklee@hankyung.com