삼성전자는 미국의 반도체 장비업체인 시플리사와 손잡고 차세대
반도체용 초미세회로 기술개발에 나선다고 2일 밝혔다.

삼성과 시플리가 공동개발할 기술은 반도체 기판에 1백93nm(나노미터,
1nm는 10억분의 1m)의 초미세회로를 형성하는 감광기술로 회로선폭
0.13미크론(1미크론은 1백만분의 1m)이하의 차세대 반도체 제조에 사용될
예정이다.

삼성전자는 시플리와 협조관계를 지속적으로 유지해 앞으로도 차세대용
재료기술을 공동개발할 계획이다.

강현철 기자 hckang@ked.co.kr

( 한 국 경 제 신 문 2000년 1월 3일자 ).