현대전자는 생산 현장에 바로 적용할 수있는 0.25미크론m(1미크론m은
1백만분의1미터)회로선폭의 비메모리 제조기술(Logic Technology)을
독자개발했다고 2일 발표했다.

이 기술은 현재 업계에서 가장 많이 사용되고있는 0.35미크론m 비메모리
제조기술에 비해 칩 크기를 절반 이하로 설계할수있고 소비전력도 70%
미만으로 줄일 수 있다고 현대는 설명했다.

또 철수 대상이던 기존의 4메가 D램 생산라인중 일부 장비를 교체하여
개발함으로써 개발 비용을 크게 절감했다고 덧붙였다.

현대는 이 기술을 멀티미디어용 초고속 및 저소비전력 반도체나 비메모리와
메모리를 한개의 칩에 집적하는 복합반도체등에 적용할 계획이다.

또 주문형 반도체의 수요가 늘어 오는 2000년에는 이 기술로 약 1억달러의
매출을 올릴 것이라고 덧붙였다.

현대는 이번 기술 개발로 지난 9월 개발한 0.21미크론m급 복합 메모리
제조기술과 함께 시스템IC분야 핵심기술을 모두 확보하게 됐다고 설명했다.

현대전자 관계자는 "지난 1월 당시 자회사였던 미국 심비오스사와
0.35미크론m의 비메모리용 회로선폭을 공동 개발한후 11개월만에
0.25미크론m의 회로선폭을 독자 개발했다"며 비메모리분야의 기술을
입증하게됐다고 말했다.

비메모리 반도체에 적용되는 회로선폭은 메모리반도체에 적용되는
회로선폭보다 개발하기 어려워 0.25미크론m의 비메모리 제조기술은 메모리
분야의 0.18미크론m 기술에 해당하는 것으로 알려지고있다.

전세계 비메모리반도체 시장은 주문형반도체 수요의 증가로 오는 2000년
약 1백20억달러로 예상되고 있다.

< 박주병 기자 jbpark@ >

( 한 국 경 제 신 문 1998년 12월 3일자 ).