현대전자는 일반 D램보다 정보를 빠르게 전달해 메모리 반도체분야의 차세대
주력상품으로 떠오르고 있는 2백56메가 싱크로너스(synchronous) D램을 세계
에서 가장 먼저 개발했다고 11일 발표했다.

현대는 "이 제품은 영자신문 2천페이지분량의 정보를 저장할 수 있는
것으로 상용샘플을 내년말까지 개발, 오는 97년부터 시험생산에 들어갈
계획"이라고 밝혔다.

이 제품은 회로간의 폭이 0.25미크론m(1미크론m는 1백만분의 1m)로 구성돼
최소 선폭가공기술로 제조됐다.

정보처리 속도는 6나노초(1나노초는 10억분의 1초)로 일반 D램보다 2배
이상 빠르다.

현대는 <>고성능 PC(개인용 컴퓨터) <>워크스테이션 <>멀티미디어기기
<>HD(고선명)TV 등에 이 제품이 폭넓게 사용될 것이라고 설명했다.

현대전자 황인석 반도체 제1연구소장은 "싱크로너스 D램은 16메가의 경우
세계메모리반도체 시장의 7%를 차지하고 64메가에서는 35%를 넘어선 뒤
256메가부터는 시장을 주도할 것으로 전망된다"며 "이번 256메가
싱크로너스 D램 개발로 세계 시장을 선도할 수 있게 됐다"고 밝혔다.

(한국경제신문 1995년 10월 12일자).