차세대인 2백56메가D램이상의 반도체를 만들수 있는 이온주입기가
국내에서 개발됐다.

23일 한국원자력연구소는 최병호박사팀이 삼성전자, 러시아 쿠르차토프
연구소와 공동으로 2백56메가D램이상의 반도체제조에 사용할수 있는
이온주입기를 개발했다고 밝혔다.

한.러국제공동연구의 하나로 지난93년말부터 약 4억원을 들여 개발한
이장치는 12인치이상의 대구경 웨이퍼를 처리할수 있고 기존장치가 만들어
내는 붕소 인 비소이온뿐만 아니라 산소 질소 금속이온까지 만들어낼수 있어
차세대반도체 기술로 평가되는 SOI(Silicon On Insulator)를 만들어 낼수
있다.

이온주입기는 원자를 이온으로 만들어 원하는 이온만을 분리, 높은 전압을
걸어 고속으로 가속한뒤 표면에 주입시키는 장치이다.

반도체제조에서는 붕소나 인등의 이온을 웨이퍼에 쪼여 회로부분에 전기가
통하도록 하며 기존 방법에 비해 불순물의 양이나 위치, 두께등을 정확하게
제어할수 있어 차세대반도체 제조에 핵심적인 기술로 평가되고 있다.

최박사팀은 이온빔을 길이 30cm정도의 막대형으로 만들어 12인치짜리
웨이퍼를 한번 지나가면서 필요한 공정을 끝내도록 하는 기술을 개발했다.

이를 통해 대구경웨이퍼에 적용할수 있게 됐으며 반도체 생산성을
떨어뜨리는 분진발생도 크게 줄일수 있게됐다.

기존에는 직경1 의 원형이온빔을 상하좌우로 이동하도록 돼있어
기계적인 장치가 복잡해 정밀도가 떨어지고 기계에서 분진이 생기는
문제가 있었다.

또 이온빔의 수송및 주사계통에 기존장치의 전기장형 대신 자기장형을
채택해 이온빔을 균일하게 만들고 이온전류에 절연층이 파괴되지
않도록했다.

이연구팀은 이연구를 통해 국내에 4건의 특허를 출원했으며 미국및
일본에도 출원할 계획이다.

또 이번에 개발한 장치에 대해 1~2년간 장치자체의 성능시험과 현장적용
시험을 거쳐 삼성전자의 2백56메가D램 생산라인에 적용할 계획이다.

< 정건수기자 >

(한국경제신문 1995년 5월 24일자).