내달 1일 코스닥 입성 RFHIC 조덕수 대표
조덕수 RFHIC 대표(사진)는 21일 한국경제신문과의 인터뷰에서 “5G시대를 맞아 GaN 트랜지스터가 4G 시대에 널리 쓰였던 값싼 실리콘 소재를 대체할 것”이라고 전망했다. 이 회사는 NH스팩8호와 합병해 다음달 1일 코스닥시장에 상장한다.
1999년 설립된 RFHIC는 통신 기지국 등에 쓰이는 무선주파수(RF: radio frequency) 전력증폭기를 제조한다. 국내에서는 유일하게 전력증폭기에 쓰이는 GaN 트랜지스터를 만들고 있다. RFHIC는 GaN 트랜지스터 부문에서 세계 2위 기업(점유율 기준)이다.
조 대표는 “GaN 트랜지스터와 전력증폭기를 모두 생산할 수 있어 경쟁사들과 달리 원가 절감을 통한 가격경쟁력을 갖췄다”고 말했다. 그는 “세계 최초로 다이아몬드와 질화갈륨의 화합물 반도체를 개발해 기술장벽을 더 높게 쌓는 게 목표”라고 했다.
이 회사는 사업 다각화를 위해 방위산업에도 진출했다. GaN 트랜지스터를 사용한 레이더용 전력증폭기 시장에 진입했다.
조 대표는 “신사업인 방위산업 부문에서도 올해 세계 1위 기업인 록히드마틴을 고객사로 확보하는 등 성과를 냈다”고 소개했다. 이어 “레이더용 전력증폭기 시장에서도 가격경쟁력을 기반으로 매출을 늘려갈 계획”이라고 설명했다.
이 회사는 방산 사업부문의 주요 고객사로 LIG넥스원과 보잉, 레이시온, BAE시스템스, 에어버스 등을 확보했다. 올해 전체 매출에서 방산 부문이 차지하는 비중은 약 10%, 내년에는 20%가 될 것으로 회사 측은 예상했다.
RFHIC는 상장을 통해 조달한 자금을 연구개발(R&D) 및 차입금 상환에 쓸 계획이다. 이 회사의 지난해 매출은 전년보다 23.2% 늘어난 612억원, 영업이익은 79.8% 증가한 55억원이었다.
이고운 기자 ccat@hankyung.com
