정부가 삼성전자의 낸드플래시 메모리 중국 투자 신고를 수리했다. 이에 따라 삼성전자는 중국에서 대규모 반도체 생산공장을 설립하고 메모리 수요 증가에 발빠르게 대응할 수 있게 될 것으로 보인다.

4일 지식경제부는 삼성전자의 중국 내 반도체 공장 설립을 위한 10나노급 낸드 플래시 국가핵심기술 수출 신고를 수리했다고 밝혔다.

삼성전자는 지난해 12월6일 중국에 낸드플래시 반도체 생산라인을 설립하기 위해 지경부에 투자 신고서를 제출했다. 현행법상 '70나노 이하 낸드플래시 설계·공정·소자·조립·검사 기술'은 국가핵심기술로 분류돼 해외 수출 시 정부의 승인을 얻도록 돼 있다.

지경부는 "전기전자 분야 산업기술보호 전문위원회를 두 차례 열고 중국 진출 필요성 및 기술유출 가능성 등을 종합적으로 검토해 이같이 결정했다"고 설명했다.

다만 "국가핵심기술의 불법 유출을 방지하기 위해 삼성전자가 기술보호대책을 수립·운영하도록 하고, 정기적으로 운영실태를 점검하고 보안 컨설팅을 추진할 계획"이라고 지경부는 덧붙였다.

삼성전자가 중국에 낸드플래시 반도체 생산라인을 건설하는 이유는 스마트폰, 태블릿PC 등의 모바일 기기 확산으로 낸드플래시 반도체 수요가 증가하고 있기 때문이다. 특히 세계 메모리 반도체 시장에서 중국의 중요성이 점차 부각되는 것을 고려한 전략이라고 업계는 풀이한다. 공장 설립이 성사되면 중국 내 첫 번째 낸드플래시 생산공장이 될 전망이다. 삼성전자는 올 상반기 공장을 착공해 내년 하반기 양산을 목표로 하고 있다.

한편 지경부는 이번 투자로 인해 국내에서의 투자 축소가 생기지 않도록 보안대책을 세워야 한다고 삼성전자에 요청했다. 이에 따라 삼성전자는 중국 투자 시 국산 장비 활용율을 현 수준 이상으로 유지하기로 했다. 또 국내에서도 화성 단지 외에 평택 단지를 확보해 메모리 분야뿐만 아니라 시스템 반도체 분야 투자도 확대하기로 했다.

한경닷컴 권민경 기자 kyoung@hankyung.com