세계 2위 메모리 반도체 업체인 하이닉스반도체가 미국 휴렛팩커드(HP)와 차세대 메모리 제품인 Re램 공동 개발에 나선다. 스마트폰,태블릿PC의 저장장치로 쓰이는 낸드플래시를 대체할 것으로 기대되는 Re램 개발을 통해 차세대 메모리 시장을 선점하겠다는 전략이다.

하이닉스는 Re램 구현 기술 중 하나인 HP의 멤리스터(memristor) 기술을 활용해 자사 연구개발(R&D) 팹에서 상용화를 위한 공동개발을 진행할 것이라고 1일 발표했다.

메모리(memory)와 저항(resistor)의 합성어인 멤리스터는 2008년 HP가 자체 개발한 신기술이다. 칩 내 데이터 저장 공간인 셀 내부 전하의 존재에 따라 칩의 온 · 오프(on · off) 상태가 결정되는 기존 메모리 제품과 달리 저항의 크기에 따라 온 · 오프가 정해진다. 전원이 꺼진 상태에서도 직전 저항 상태를 기억할 수 있는 비휘발성이라는 점에서 낸드플래시와 비슷한 특징을 지니고 있다.

하이닉스는 멤리스터 기술을 적용한 Re램은 낸드플래시보다 쓰기 속도가 100배 이상 빠르고 공정 미세화에 따른 한계를 해결할 수 있어 보다 많은 정보를 저장할 수 있다고 설명했다. 구동에 따른 전력 소요도 적다. 하이닉스는 이 같은 HP 멤리스터 기술을 토대로 자사의 메모리 생산 기술을 통해 본격적인 Re램 생산에 나서겠다는 계획이다.

강경민 기자 kkm1026@hankyung.com