삼성전자가 세계에서 처음으로 20나노급 공정을 적용한 낸드플래시 메모리 양산을 이달 시작했다고 밝혔습니다. 20나노급은 기존 30나노급보다 생산성이 약 50% 높고 특히 이번에는 20나노급의 MLC 낸드플래시 전용 컨트롤러도 함께 개발해 최적의 성능을 구현했습니다. 삼성전자는 20나노 공정을 적용한 SD 카드 제품을 출시할 계획이며 앞으로 48GB(기가바이트)부터 64GB 용량의 제품까지 라인업을 운영할 예정입니다. 삼성전자 메모리담당 조수인 사장은 “올해 20나노급 낸드플래시로 스마트폰용 대용량 고성능 프리미엄 내장 스토리지 시장은 물론 고성능 메모리 카드 시장을 선점해 플래시 메모리 사업 경쟁력을 더욱 강화하겠다”고 말했습니다. 박성태기자 stpark@wowtv.co.kr