삼성전자는 세계 반도체 업체 가운데 처음으로 20나노급 미세 공정을 적용한 낸드 플래시 메모리 양산에 들어갔다고 19일 밝혔다.

이번에 양산하는 20나노급 멀티레벨셀(MLC) 낸드플래시는 기존 30나노급 제품 대비 생산성을 약 50% 높일 수 있다.

삼성전자는 20나노급 낸드를 이용해 휴대용 디지털 장치에 쓰이는 메모리카드인 SD카드용으로 먼저 출시했다. 이번에 선보인 8기가바이트(GB) 용량 이상의 SD카드는 기존 제품 중 가장 빠른 초당 10메가바이트(MB/s)의 쓰기 속도를 지원한다. 삼성전자는 4~64GB SD 카드 제품은 물론 휴대폰 등에 사용하는 모바일 플래시 메모리 카드 등에도 20나노급 낸드 플래시를 순차적으로 확대 적용할 계획이다.

조수인 삼성전자 반도체사업부 메모리담당 사장은 "생산성과 성능을 동시에 높인 20나노급 제품을 양산함에 따라 고성능，대용량 메모리에 대한 시장 수요에 적극 대응할 수 있게 됐다"며 "스마트폰용 대용량 · 고성능 저장장치，메모리 카드 시장 등을 선점하는 기회가 될 것"이라고 말했다. 한편 지난 2월 20나노급 64Gb 낸드 플래시 개발을 발표한 하이닉스반도체는 오는 3분기께 제품 양산에 들어갈 계획이다.

김태훈 기자 taehun@hankyung.com