삼성전자가 세계 최초로 40나노미터(㎚，1㎚는 10억분의 1m)급 공정으로 개발한 퓨전메모리를 10일 발표했다. 퓨전메모리는 다양한 기능과 성능을 가진 낸드플래시 등을 하나의 칩에 결합시킨 융합 메모리 제품이다. 40나노 공정은 반도체 회로와 회로 사이의 폭을 머리카락 굵기의 약 2500분의 1로 구현한 최첨단 공정이다.

삼성전자가 이날 발표한 8기가비트(Gb) 용량의 퓨전메모리 '플렉스 원낸드'는 데이터 처리 속도가 빠른 SLC(싱글 레벨 셀) 낸드와 고용량을 구현할 수 있는 MLC(멀티 레벨 셀) 낸드의 특성을 합친 차세대 반도체다. 회사 관계자는 "40나노급 공정으로 플렉스 원낸드를 개발해 기존 60나노급 제품과 비교할 때 생산성을 약 2.8배 향상시킬 수 있게 됐다"고 설명했다.

이 제품을 사용하면 휴대폰 등의 성능 향상에도 도움이 된다. 현재 휴대폰에는 프로그램 구동에 필요한 SLC 낸드와 데이터 저장용 MLC 낸드가 별도로 탑재되고 있다. 이들을 하나의 플렉스 원낸드로 대체하면 공간과 비용을 줄일 수 있다는 게 회사 측 설명이다. 휴대폰 제조사들이 용량 등을 자유자재로 정해 새롭게 디자인할 수 있는 장점도 있다.

안정락 기자 jran@hankyung.com