삼성전자가 세계 최초로 40나노(1나노는 10억분의 1미터)급 공정을 적용한 DDR2 1기가바이트(GB) D램을 개발했다.

이는 생산성을 60% 가량 향상시켜 경쟁업체와 격차를 1~2년 가량 확대하는 효과가 있다.

삼성전자는 2005년 60나노급, 2006년 50나노급에 이은 40나노급 D램 개발로 업계 최고 수준의 원가와 친환경 경쟁력을 강화하게 됐다고 4일 밝혔다.

삼성전자는 40나노급 1기가 DDR2 D램 기술을 적용해 올해 올해 40나노급 2기가 DDR3 제품 양산을 시작할 예정이다.

양산되는 제품은 50나노급 대비 생산성을 60% 가량 향상시킬 수 있어 현재 50~60나노급 D램을 양산하는 업체 대비 경쟁력 격차를 1~2년까지 확대시킬 것이라고 삼성전자는 설명했다.

또 40나노급 D램은 1.2볼트(V) 동작을 가능하게 기존 50나노급 1.5V D램 대비 30% 이상 소비전력을 줄일 수 있다.

삼성전자는 "40나노급 D램 시장을 선점해 친환경 특성을 보다 강화한 고부가가치 D램 시장을 창출하는 것은 물론, 향후 DDR4 등 초고속 스피드를 구현하는 차세대 고용량 고성능 제품을 앞서 개발해 나갈 것"이라고 밝혔다.

한경닷컴 박철응 기자 hero@hankyung.com

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