삼성전자 종합기술원이 디스플레이와 반도체 반응속도를 3배 높일 수 있는 비정질 산화물 박막 트랜지스터를 개발했습니다. 이번에 발표한 기술은 기존 산화물 박막 트랜지스터의 단일 채널 구조를 이중 채널 구조로 변경해 기존 보다 3배 이상 향상된 세계 최고 수준의 전자 이동도(~130㎠/V.sec)를 확보함과 동시에 문턱전압을 제어할 수 있도록 했습니다. 삼성전자는 이 기술이 현재 사용하고 있는 LCD 디스플레이 소자 뿐만 아니라, AM-OLED, 플렉시블 디스플레이와 같은 차세대 디스플레이와 태양전지(Solar Cell), LED, 반도체 등에도 적용이 가능하다고 밝혔습니다. 최진욱기자 jwchoi@wowtv.co.kr