하이닉스반도체가 세계 최초로 내년 초부터 40나노급 낸드플래시 반도체를 양산한다.

이 회사는 48나노 공정을 적용한 16Gb(기가비트) 멀티레벨셀(MLC) 낸드플래시 제품 개발을 마치고 내년 1월부터 본격적인 양산에 들어간다고 4일 밝혔다.

삼성전자와 도시바 등 반도체 업체들은 뮤직폰 등 모바일 제품과 하드디스크를 대체하는 SSD(Solid State Drive) 등으로 낸드플래시 수요처가 확대되자 기존 50나노급 제품보다 생산성을 10~20%가량 높일 수 있는 40나노급 낸드플래시 개발에 주력해 왔다.

하이닉스는 이달 중으로 개발이 완료된 샘플을 해외 고객사에 보낸 뒤 내년 1월부터 12인치(300㎜) 웨이퍼를 사용하고 있는 경기도 이천공장의 M10라인에서 월 1만5000~2만장 규모로 양산에 들어갈 계획이다.

내년 4월께 완공되는 충북 청주의 M11 라인에서도 40나노 낸드플래시를 생산해 내년 상반기까지 월 10만장 이상의 생산체제를 갖추기로 했다.

하이닉스는 이 밖에도 MLC보다 속도가 빠르고 안정성이 높아 휴대폰 등 모바일 제품에 많이 쓰이는 40나노급 8Gb 싱글레벨셀(SLC) 제품도 선보일 예정이다.

하이닉스 관계자는 "지난 3분기부터 낸드시장 점유율이 5% 이상 상승한 데 이어 이번 40나노 낸드플래시 양산으로 삼성전자와 도시바가 양분하고 있는 16Gb 낸드 시장을 기술면에서 선도하게 됐다"고 말했다.

김현예 기자 yeah@hankyung.com