하이닉스반도체가 모바일 D램에 60나노대 공정을 적용한 세계에서 가장 작고 빠른 1Gb(기가비트) D램을 개발했습니다. 60나노급 공정으로는 세계 최초로 개발된 이 제품은, 크기가 획기적으로 줄어든데다 200㎒(메가헤르츠)의 최고속 동작 속도를 구현해 휴대폰 뿐만 아니라 다양한 초소형 전자기기에 적용이 가능합니다. 유미혜기자 mhyu@wowtv.co.kr