황창규 삼성전자 반도체총괄 사장이 세계 최고의 '반도체 기술 명인(名人)'으로 선정됐다.

황 사장은 12일(현지시간) 미국 샌프란시스코 힐튼호텔에서 세계 전기·전자분야 최고권위 단체인 IEEE(Institute of Electrical and Electronics Engineers) 주최로 열린 '2006 IEDM 학회'에서 '올해의 앤디 그로브'상을 받았다.

이 상은 인텔의 창업자 앤디 그로브가 2000년 제정한 것으로,세계 반도체 기술발전에 기여도가 큰 학자 및 기업인에게 주어진다.

올해 수상자로 선정된 황 사장은 기업인으로는 인텔의 수석 펠로인 마크 보어에 이어 두 번째,동양계 인사로는 처음이다.

황 사장은 2002년 '황의 법칙'을 발표하면서 매년 획기적인 D램과 낸드플래시를 개발하고 시장을 선도한 점을 인정받아 올해 수상자로 뽑혔다.

지난해 50나노 16기가비트 낸드플래시를 개발한 데 이어 올해도 40나노 32기가비트 낸드플래시를 개발해냈다.

특히 세계 최대 반도체 회사이자 삼성전자의 라이벌인 인텔의 CTO(최고기술책임자) 펫 겔싱어가 황 사장을 수상자로 추천해 눈길을 끌었다.

클레온 앤더슨 IEEE 이사회장은 이날 행사에서 "황창규 사장은 수많은 혁신적인 메모리 반도체를 개발함으로써 세계 반도체 산업에 큰 족적을 남겼다"고 선정 이유를 밝혔다.

한편 황 사장은 이날 IEDM학회 기조연설을 통해 "3차원 트랜지스터 기술과 퓨전형 반도체를 기반으로 한 'FT(퓨전 테크놀로지) 시대'가 열릴 것"이라고 전망했다.

그는 "IT(정보기술)와 BT(생명기술),NT(나노기술) 등이 창조적으로 융합된 FT시대는 고용량,초소형,다기능의 반도체를 필요로 한다"며 "이를 위해선 최첨단 퓨전반도체 개발과 초미세 나노공정의 한계를 극복하는 게 최대 관건"이라고 강조했다.

이태명 기자 chihiro@hankyung.com