플래시 메모리의 단점을 크게 개선한 차세대 메모리의 핵심 원천기술이 국내 연구팀에 의해 개발됐다. 산업자원부는 광주과학기술원 황현상 교수팀이 저항변화 메모리(ReRAM:Resistance Random Access Memory) 소자의 핵심 원천기술을 세계 최초로 개발하는 데 성공했다고 8일 발표했다. 이 메모리 소자는 그동안 플래시 메모리의 단점으로 지적돼 온 △정보를 쓰고 지우는 데 시간이 걸리는 점 △저장용량 32Gb급 이상의 제품 생산이 어려운 점 등을 해소할 수 있는 특징을 가졌다고 산자부는 설명했다. 황 교수팀은 데이터를 저장할 수 있는 메모리의 특성인 '0(off)'과 '1(on)' 상태를 번갈아 작동시킬 수 있는 핵심물질인 '단결정 스트론튬타이타늄옥사이드(SrTiO3)'와 이 물질의 고유 특성을 유지시키는 표면처리 공정을 개발했다고 산자부는 전했다. 황 교수팀이 개발한 물질과 공정을 사용할 경우 데이터의 저장상태가 10년 이상 유지되고 1000만번 이상의 정보 쓰기·지우기 동작이 가능해 실용화 가능성이 매우 높다고 산자부는 평가했다. 박준동 기자 jdpower@hankyung.com