삼성전자는 기존 1Gb(기가비트) 원낸드(OneNAND) 플래시 메모리반도체의 용량을 네 배나 늘린 '4Gb 원낸드 퓨전메모리'를 개발,오는 7월부터 양산할 계획이라고 20일 밝혔다. 4Gb 원낸드는 삼성전자가 지난해 개발한 90나노 1Gb 원낸드를 수직 4단으로 쌓은 것으로,3세대 휴대폰 등 각종 모바일 기기에 이용되는 차세대 메모리 반도체다. 삼성전자는 이 제품이 기존 낸드플래시보다 읽기 속도는 4배,노어플래시보다 쓰기 속도는 67배 빠르면서도 크기는 1Gb 원낸드와 비슷한 초소형(11mm×13mm×1.4mm)이고 동작전압도 1.8V에 불과하다고 설명했다. 이에 따라 이 제품이 휴대폰에 사용될 경우 5백만화소급 사진 2백50장 또는 MP3 음악 1백20곡을 저장할 수 있다고 회사 측은 덧붙였다. 삼성전자 관계자는 "이번 4Gb 원낸드 개발로 모바일 기기의 부팅 시간을 크게 단축시키고 대용량 데이터를 실시간으로 저장할 수 있다"면서 "앞서 개발한 MCP(최대 용량 2.5Gb),모바일 D램(최대 용량 1Gb)과 함께 차세대 모바일용 메모리반도체 시장에서 기가비트 시대를 선도할 수 있게 됐다"고 말했다. 이태명 기자 chihiro@hankyung.com