삼성전자는 세계 처음으로 회로선폭 70나노(1나노는 10억분의 1) 공정을 적용한 4기가 낸드(NAND) 플래시 메모리 반도체를 상용화하는데 성공했다고 29일 발표했다. 삼성전자는 또 80나노 공정을 적용한 5백12메가 D램 양산기술을 확보하고 기존 낸드와 노어(NOR) 플래시의 장점을 융합한 '퓨전(Fusion) 메모리'를 양산한다고 밝혔다. 황창규 삼성전자 메모리사업부 사장은 이날 오전 서울 신라호텔에서 내외신 기자회견을 갖고 이같은 차세대 메모리 반도체 개발 및 양산계획을 발표했다. 이번에 나온 4기가비트급 낸드 플래시 메모리는 종전보다 용량이 2배 높아진 것으로 16개를 집적할 경우 MP3 음악파일 2천곡 또는 8시간분의 영화를 저장할 수 있는 8기가바이트급 메모리카드의 공급도 이뤄질 것이라고 회사측은 설명했다. 또 지난해 90나노 양산기술 확보 이후 1년 만에 개발된 80나노 5백12메가 DDR D램 양산기술은 웨이퍼당 생산칩 수를 획기적으로 늘릴 수 있어 현재 주력 공정인 0.10㎛ 공정에 비해 생산성을 90% 이상 높일 수 있을 것으로 전망된다. 조일훈 기자 jih@hankyung.com