미국의 IBM과 독일의 인피니언테크놀로지스가 차세대 초고속 메모리칩의 공동개발에 나섰다. 양사는 11일 차세대 메모리로 주목받는 자기저항식램(MRAM) 기술을 표준 메모리칩에 접합한 새로운 반도체칩을 개발,내년 말부터 상용화할 계획이라고 발표했다. MRAM은 전기도체의 저항이 주변 자기장에 따라 변화하는 자기저항 효과를 이용해 정보를 저장하는 방식으로,동작속도가 현재 가장 빠른 SRAM과 맞먹는다. 또 셀 크기와 소비전력이 작은 데다 전원을 차단해도 기록된 정보가 보존되는 특성을 지니고 있어 DRAM은 물론 휴대폰 등에 쓰이는 플래시메모리도 대체할 수 있을 것으로 기대된다고 IBM 측은 밝혔다. 티씨 천 IBM연구소 부소장은 "MRAM은 미래의 표준 메모리반도체가 될 가능성이 크며, 수년 내 메모리시장을 근본적으로 바꿔놓을 것"이라고 밝혔다. 그동안 IBM과 여러건의 메모리 프로젝트를 공동 추진해온 인피니언은 신제품 판매를 통해 메모리반도체시장 2위인 미국의 마이크론을 따라잡을 것으로 기대하고 있다. 우종근 기자 rgbacon@hankyung.com