SONOS(실리콘 산화물 질화물 산화물 실리콘) 구조를 이용한 새로운 메모리소자 제작 방법을 활용,플래시 메모리의 집적도를 1천배 이상 높일 수 있는 길이 열렸다. 삼성종합기술원 김정우 박사팀은 13일 서울대 박병국 교수팀과 공동으로 30㎚(㎚는 10억분의 1m)의 극미세 선폭 테라비트급 플래시 메모리소자의 제작 방법 및 동작 특성을 규명했다고 밝혔다. 국제 반도체기술 로드맵(ITRS)에 따르면 70㎚ 이하 선폭이 사용될 2007년에 가서는 기존 플래시 메모리가 기술적 한계를 맞을 것으로 예상되고 있다. 김 박사팀은 이같은 한계를 극복하기 위해 기존 다결정 실리콘을 사용한 부유 게이트(Floating Gate) 대신 실리콘 질화막 안에 전하를 축적하는 SONOS를 사용했다. SONOS 구조의 경우 기존 1백㎚의 다결정실리콘 대신 10㎚ 이하의 ONO가 적용되고 2㎚ 이하의 터널산화막이 사용돼 고집적화하기가 쉽다. 작동전압을 줄일 수 있어 시스템온칩(SOC)에도 효과적으로 응용될 수 있다. 특히 공정이 단순할 뿐 아니라 기존 CMOS(상보형 금속산화물 반도체)라인을 그대로 사용할 수 있어 가격 경쟁력도 뛰어난 것으로 평가된다. 이번 연구성과로 앞으로 4∼5년안에 한계에 이를 것으로 예상되는 플래시 메모리의 집적도를 한단계 높일 수 있는 전기가 마련됐다. 따라서 오는 2004년 2백억달러에 이를 것으로 추정되고 있는 세계 플래시 메모리시장을 주도할 수 있는 역량을 갖추는 데 크게 기여할 것이라는 게 연구팀의 설명이다. 이번 연구성과는 18일 미국 캘리포니아주 몬터레이에서 열리는 2003 IEEE 비휘발성 반도체 메모리 워크숍(NVSMW)에서도 발표될 예정이다. 연구팀은 이번 연구결과와 관련 다수의 특허를 국내 및 해외에 출원했다. 송대섭 기자 dssong@hankyung.com ..................................................................... [ 용어풀이 ] 플래시 메모리란= 전원공급이 중단되면 기억된 데이터가 모두 사라지는 (휘발성) D램과는 달리 전원이 꺼져도 데이터가 그대로 남아있을 (비휘발성) 뿐만 아니라 마음대로 내용을 기록.수정.보관할 수 있는 기억장치다. 현재 플래시 메모리는 비휘발성 메모리 시장의 75% 이상을 점유하고 있으며 휴대폰,PDA,디지털 카메라,MP3 플레이어 등 다양한 응용제품에 적용할 수 있다. 최근 자동차, 디지털 가전, TV셋톱박스, 네트워크 장비 등으로 응용범위가 점차 확대되고 있다.