[공시]나리지온,질화물 반도체 발광소자 관련 특허 취득 입력2006.04.02 06:30 수정2006.04.02 06:33 기사 스크랩 공유 댓글 0 클린뷰 글자크기 조절 로그인 나리지*온은 질화물 반도체 발광소자 및 제조방법에 대해 국내 특허를 취득했다고 10일 공시했다. 이 특허는 이종접합 구조의 계면을 개선해 구동전압을 낮출수 있고 고휘도 및 고발광효율을 갖도록 한 것이라고 회사측은 설명했다. [한경닷컴] 좋아요 싫어요 후속기사 원해요 관련 뉴스 1 에이프릴바이오, 블록딜 여파에 5%대 '약세' 2 차익실현 움직임에 HLB 그룹주 일제히 '하락세' 3 DB금융투자, 장외채권 매수 이벤트 진행