차세대 고집적 F램 메모리용 박막소자가 국내 연구진에 의해 세계 최초로 개발됐다.

포항산업과학연구원(RIST) 전웅 박사팀(39·고온내화재료연구)은 포항공대 장현명 교수(49·신소재공학과)와 공동으로 무전원 상태에서도 정보저장이 가능한 F램 메모리 소자를 개발했다고 13일 발표했다.

이 소자는 비스무스-사마리움-타이타늄계인 'BSmt' 박막축전기를 이용,'전기적 피로현상'을 없애 약 6백50억회의 반복적인 읽기 쓰기 동작에도 저장된 정보가 손실되지 않는 점이 특징이다.

판독 능력도 뛰어나 차세대 메모리 박막재료로 적용이 용이한 것으로 평가되고 있다.

지금까지 개발된 강유전 메모리 박막으로는 미국의 SBT가 있으나 제조온도가 높고 정보의 기록 및 판독이 쉽지 않아 고집적 메모리용 재료로는 부접합한 것으로 지적되고 있다.

BSmt 강유전 박막은 SBT에 비해 제조온도가 1백도 이상 낮다.

현재 반도체 제조업체들은 차세대 F램 개발을 위해 경쟁을 벌이고 있으나 전기적 피로현상 때문에 큰 어려움을 겪고 있다.

이번 연구결과는 응용물리 분야의 세계적 권위지인 '어플라이드 피직스 레터(Applied Physics Letter)' 최신호에 발표됐다.

포항=하인식 기자 hais@hankyung.com