코스닥 등록기업인 주성엔지니어링은 5일 반도체소자용 배선박막 형성방법에 대한 특허를 취득했다고 공시했다. 특허내용은 반도체 소자용 배선박막을 형성하기 위한 공정 특허로 화학기상증착에 의해 1차적으로 배선박막의 일부를 형성하고 플라즈마를 이용한 박막증착에 의해 2차적으로 배선박막의 일부를 형성하는 방식이다.투자액은 3억원. [한경닷컴]