하이닉스반도체는 다음달부터 그래픽 메모리용 세계 최고속 DDR SD램 양산에 들어간다고 24일 밝혔다.

이 제품은 64메가(4M×16) DDR SD램으로 2.5v 및 3.3v에서 동작이 가능하고 회로선폭 0.18㎛의 가공기술을 적용했으며 200~275㎒의 고속 주파수를 사용해 초당 550만개의 데이터 처리가 가능하다.

하이닉스 관계자는 "고속 그래픽 시장 외에도 차세대 WAN(광역 네트워크)과 LAN, 인터넷 라우터, 스위치용 메모리, 고급 서버 등에도 사용할 수 있다"며 "월 100만개 규모로 증산해 고속 D램 시장 점유율을 높일 계획"이라고 말했다.

한경닷컴 김은실기자 kes@hankyung.com