삼성전자가 세계 최초로 4기가 D램기술을 개발했다.

삼성전자는 7일(현지시간) 미국 샌프란시스코에서 열린 ISSCC(국제반도체학회)에서 0.10㎛(1㎛는 1백만분의 1m) 회로 기술을 적용한 4기가 메모리반도체 기술을 개발했다고 발표했다.

삼성전자는 4기가 D램을 오는 2004년께부터 양산할 계획이다.

4기가 D램은 영문 글자 기준 5억자, 신문 3만2천쪽의 데이터를 저장할 수 있는 초고집적 D램이다.

황창규 대표는 "2004년께부터 초고성능 서버용으로 4기가 D램을 공급할 계획"이라며 "경쟁업체와의 기술 격차를 더욱 확대하게 될 것"이라고 말했다.

그는 이어 "0.10㎛ 공정 기술을 현재 생산중인 2백56메가및 1백28메가 D램에 적용하면 원가를 60% 이상 절감할 수 있다"고 말했다.

0.10㎛는 사람 머리카락의 1천분의 1에 해당하는 굵기로 고해상도 사진현상 기술, 셀(Cell) 정전(靜電)용량 확보기술 등 다양한 첨단 기술이 융합된 것이다.

삼성전자는 이번 기술 개발과정에서 총 1백40여건의 핵심 반도체 기술특허를 국내외에 출원했다고 밝혔다.

이익원 기자 iklee@hankyung.com