현대전자는 휴대폰용 저전압 2메가 S램을 개발, 다음달부터 양산에
들어간다고 22일 발표했다.

이번에 개발한 2메가 S램은 3V의 낮은 전압에서도 70나노초(1나노초는
10억분의1초)의 속도로 작동하는 저전압형이다.

칩크기도 기존 제품의 70% 수준인 초소형이라고 현대는 밝혔다.

현대전자는 이와함께 2V이하 초저전압에서도 사용할 수 있는 1메가, 2메가,
4메가 용량의 S램도 개발해 오는 10월부터 양산에 들어갈 예정이다.

현대전자는 내년부터 3V 동작 2메가S램을 월 1백50만개, 2V이하 초저전압
동작 S램 제품을 월 2백만개 이상 생산해 이 분야에서 1억달러 이상의 매출을
올릴 계획이라고 밝혔다.

< 박주병 기자 jbpark@ >

( 한 국 경 제 신 문 1998년 7월 23일자 ).